电光Q开关.jpg)
1550nm电光强度调制器 2.5G
具有低插入损耗、高调制带宽、低半波电压等特点，主要用于空间光通信系统、量子光学等领域
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产品型号 GU-AM-15-2.5G
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| 性能参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | ||||
| 光学参数 | |||||||||
| 工作波长 | l | 1530 | 1550 | 1565 | nm | ||||
| 插入损耗 | IL | 4 | 5 | dB | |||||
| 光回波损耗 | ORL | -45 | dB | ||||||
| 开关消光比 @DC | ER@DC | 20 | 23 | 45 | dB | ||||
| 动态消光比 | DER | 13 | dB | ||||||
| 光纤类型 | 输入端 | Panda PM | |||||||
| 输出端 | Panda PM or SMF-28 | ||||||||
| 光纤接头 | FC/PC、FC/APC Or user to specify | ||||||||
| 电学参数 | |||||||||
| 工作带宽 （-3dB） | S21 | 2.5 | 3 | GHz | |||||
| 半波电压 | RF | @50KHz | 3 | 3.5 | V | ||||
| Bias | @Bias | 4.5 | 5 | V | |||||
| 电回波损耗 | S11 | -12 | -10 | dB | |||||
| 输入阻抗 | RF | ZRF | 50 | W | |||||
| Bias | ZBIAS | 1M | W | ||||||
| RF端接口 | SMA(f) | ||||||||
极限条件
| 性能参数 | 符号 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
| 输入光功率 | Pin,Max | dBm | 20 | ||
| 输入射频功率 | dBm | 28 | |||
| 偏置电压 | Vbias | V | -20 | 20 | |
| 工作温度 | Top | ℃ | -10 | 60 | |
| 储存温度 | Tst | ℃ | -40 | 85 | |
| 湿度 | RH | % | 5 | 90 |
订货信息
| GU | AM | W | B | F | C |
| GU-AM-15-2.5G | AM---强度调制器 | 波长： 15---1550nm |
3dB带宽： 2.5G---2.5GHz |
输入/输出光纤： PP---PMF/PMF |
光纤接头： FA---FC/APC FP---FC/PC SP---客户定制 |
GU-AM系列铌酸锂电光强度调制器采用先进的质子交换工艺，具有低插入损耗、高调制带宽、低半波电压等特点，主要用于空间光通信系统、铯原子时间基准、脉冲发生器、量子光学等领域。
基于M-Z推挽结构的LiNbO3电光强度调制器具有较低的半波电压和稳定的物理化学特性，且器件具有较高的响应速率，因而被广泛的应用于光通信系统、光调Q系统、量子密钥分发和光纤传感等领域。
封装尺寸
基于M-Z推挽结构的LiNbO3电光强度调制器具有较低的半波电压和稳定的物理化学特性，且器件具有较高的响应速率，因而被广泛的应用于光通信系统、光调Q系统、量子密钥分发和光纤传感等领域。
| 产品特点 | 应用领域 |
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封装尺寸
