掺钕钒酸钇晶体(Nd:YVO4)
掺钕钒酸钇(Nd:YVO4)晶体是一种性能优良的激光晶体,常应用于半导体泵浦尤其是中低功率的激光器。与Nd:YAG相比Nd:YVO4晶体的优势是对泵浦光有更高的吸收系数和更大的受激发射截面,能输出线性偏振光。
半导体泵浦条件Nd:YVO4晶体与LBO, BBO, KTP等高非线性系数的晶体配合使用,能够达到更好的倍频转换效率。可以应用于输出近红外、绿色、蓝色到紫外线(RGB激光器)等全固态激光器。而且Nd:YVO4晶体使半导体泵浦固态激光器更小型化,另外拓展了单纵模输出方面。Nd:YVO4激光器在加工、医学、激光印刷、数据存储等多个领域有着广泛的应用,此外,Nd:YVO4和Nd:YVO4键合晶体的应用领域还在不断拓宽。
联合光科提供的晶体材料可根据您的需求,定制不同尺寸、不同浓度及倍频晶体,您可根据您的具体需求咨询选购,我们将为你提供较专业的服务。
掺钕钒酸钇晶体(Nd:YVO4)
截面 ~ 12mm²
长度 0.5 ~ 30mm
平面度 λ/8 @ 633nm
波前畸变 λ/8 @ 633nm
侧垂 <5 arc min.
受激辐射截面 25 x10^-19cm²
平行 <10 arc sec.
常规波长应用 1064nm、1342nm、914nm
浓度范围 0.1% ~ 3%
浓度控制精度 ±0.05%
定向 a-cut, c-cut
定向精度 <6 arc min.
光洁度 10/5 膜后 20/10
损伤阈值 800MW/cm² 10ns 1064nm 10Hz
镀膜 见产品列表
产品编号
规格参数
长度
镀膜
定向
截面
货期
对比
价格
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0.5 ~ 30mm
AR/AR @ 1064nm&808nm(R<0.2%); AR/AR @ 1064nm&808nm&880nm(R<0.2%); AR/AR @ 1064nm&808nm&1342nm(R<0.5%); AR/AR @ 1064nm&808nm&914nm(R<0.5%)
a-cut, c-cut
~ 12mm²
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