电光Q开关.jpg)
850nm电光强度调制器
具有低插入损耗、高调制带宽、低半波电压等特点，主要用于空间光通信系统、量子光学等领域
价格 请咨询
产品型号 GU-AM-08
货期 请咨询
咨询
产品文件资料 点击下载
| 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |
| 光学参数 | ||||||
| 工作波长 | l | 830 | 850 | 870 | nm | |
| 插入损耗 | IL | 4 | 5 | dB | ||
| 光回波损耗 | ORL | -45 | dB | |||
| 开关消光比@DC | ER@DC | 20 | 23 | dB | ||
| 动态消光比 | DER | 12 | 13 | dB | ||
| 光纤 | 输入端 | PM 850 Panda fiber | ||||
| 输出端 | PM 850 Panda fiber | |||||
| 光纤接口 | FC/PC、FC/APC或用户指定 | |||||
| 电学参数 | ||||||
| 工作带宽（-3dB） | S21 | 0.01~2.5、0.01~10 | GHz | |||
| 带宽波动 | DS21 | 0.5 | 1 | dB | ||
| 半波电压Vpi | RF | Vπ@50KHz | 3 | 3.5 | V | |
| Bias | Vπ@Bias | 3.5 | 4 | V | ||
| 电回波损耗 | S11 | -12 | -10 | dB | ||
| 输入阻抗 | RF | ZRF | 50 | Ω | ||
| Bias | ZBIAS | 1M | Ω | |||
| 电接口 | SMA | |||||
极限条件
| 参数 | 符号 | 单位 | 最小值 | 最大值 |
| 输入光功率 | Pin,Max | dBm | 10 | |
| RF端输入功率 | dBm | 28 | ||
| Bias端偏置电压 | Vbias | V | -20 | 20 |
| 工作温度 | Top | ºC | -10 | 60 |
| 储存温度 | Tst | ºC | -40 | 85 |
| 湿度 | RH | % | 5 | 90 |
订货信息
| GU | AM | 08 | XX | XX | XX |
| GU-AM-08 | 调制器类型： AM---强度调制器 |
工作波长： 08---850nm |
工作带宽： 2.5G---2.5GHz 10G---10GHz |
输入输出光纤： PP---PM/PM |
接头： FA---FC/APC FP---FC/PC SP---用户指定 |
GU-AM系列铌酸锂电光强度调制器采用先进的质子交换工艺，具有低插入损耗、高调制带宽、低半波电压等特点，主要用于空间光通信系统、铯原子时间基准、脉冲发生器、量子光学等领域。
基于M-Z推挽结构的LiNbO3电光强度调制器具有较低的半波电压和稳定的物理化学特性，且器件具有较高的响应速率，因而被广泛的应用于光通信系统、光调Q系统、量子密钥分发和光纤传感等领域。
封装尺寸
特征曲线
基于M-Z推挽结构的LiNbO3电光强度调制器具有较低的半波电压和稳定的物理化学特性，且器件具有较高的响应速率，因而被广泛的应用于光通信系统、光调Q系统、量子密钥分发和光纤传感等领域。
| 产品特点 | 应用领域 |
|
|
封装尺寸
特征曲线
