掺氧化镁铌酸锂(MgO:LN)电光Q开关 Dia. 25x33mm³

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产品型号 390048

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通光孔径 6mm
晶体尺寸 6 x 6 x 20mm³
外壳尺寸 Dia. 25x33mm³
半波电压 (@ 1064 nm) 1.4kV
电容 14pF
透过率 >99%
消光比 300:1
电极方式 柱面插针电极
损伤阈值 200MW/cm²
光学级掺氧化镁铌酸锂(MgO:LN)晶体以及铌酸锂(LN)晶体拥有较好的电光性能,非线性系数大,光学均匀性好,机械及化学性能稳定,不潮解,半波电压低;其缺点是消光比低,抗损伤阈值低,常被应用于低重复频率(100Hz)。MgO:LN以及LN电光调Q开关常被应用于Er:YAG, Ho:YAG, Tm:YAG激光器中,适应于低功率调Q输出、尤其在激光测距领域发挥着重要的作用。
联合光科推出LN电光开关和电光调制器可为客户提供最紧凑的小体积设计、改变外壳图纸等,以便于最终调试和应用。
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